CSD18510KTT, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
от 10 шт. —
290 руб.
от 30 шт. —
252 руб.
от 100 шт. —
219.20 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
40V 274A 1.7mΩ@100A,10V 250W 2.3V@250uA null TO-263-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 274A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6mΩ@100A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 11.4nF@15V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 250W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 132nC@10V |
Type | null |
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
Fall Time: | 8 ns |
Forward Transconductance - Min: | 330 S |
Id - Continuous Drain Current: | 200 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-3 |
Pd - Power Dissipation: | 250 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 153 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 mOhms |
Rise Time: | 8 ns |
Series: | CSD18510KTT |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | NexFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
Вес, г | 1.21 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1248 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары