FDB2552, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 26А; 150Вт; D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 руб.
от 10 шт. —
450 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 650 руб.
Описание
Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 37 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 97 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Width | 11.33mm |
| Drain Source On State Resistance | 0.032Ом |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Непрерывный Ток Стока | 37А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.032Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 2.11 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
