MUN2211T3G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,23Вт; SC59; R1: 10кОм

MUN2211T3G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,23Вт; SC59; R1: 10кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
13 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.8 руб.
от 300 шт.6.40 руб.
от 1000 шт.5.55 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 130 руб.
Посмотреть аналоги3
Номенклатурный номер: 8017566548
Артикул: MUN2211T3G

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 230 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.09 mm
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 35
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 35
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 10000
Серия MUN2211
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SC-59-3
Ширина 1.5 mm
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 371 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов