LBC847CLT1G, 15nA 45V 225mW 520@2mA,5V 100mA 100MHz 600mV@100mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1750 шт., срок 6 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
45V 225mW 520@2mA,5V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@100mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 520@2mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 225mW |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet LBC847CLT1G
pdf, 404 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары