MMBT1015G-GR-AE3-R, 100nA 50V 250mW 200@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA PNP +125-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
820 шт., срок 6 недель
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
5.50 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
50V 250mW 200@2mA,6V 150mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 80MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Manufacturer | Unisonic Tech |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Package / Case | SOT-23(SOT-23-3) |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet MMBT1015G-GR-AE3-R
pdf, 199 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299928.jpg)
![2SA1213, Транзистор PNP 50В 2А HFE=70…240 0.5Вт [SOT-89]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306882.jpg)
