PNT723T503E0-2, 100nA 50V 150mW 250@1mA,6V 150mA 200MHz 80mV@50mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-723 Bipolar Transistors - BJT
2440 шт., срок 6 недель
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
5.20 руб.
от 2000 шт. —
4.45 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 150mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 80mV@50mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 250@1mA, 6V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 150mA |
Pd - Power Dissipation | 150mW |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet PNT723T503E0-2
pdf, 151 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары