PNT723T503E0-2, 100nA 50V 150mW 250@1mA,6V 150mA 200MHz 80mV@50mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-723 Bipolar Transistors - BJT

2440 шт., срок 6 недель
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.7 руб.
от 600 шт.5.20 руб.
от 2000 шт.4.45 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017582701
Артикул: PNT723T503E0-2

Технические параметры

Collector Current (Ic) 150mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 80mV@50mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 250@1mA, 6V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 150mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 200MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 150mA
Pd - Power Dissipation 150mW
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet PNT723T503E0-2
pdf, 151 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.