BC337, 100nA 45V 625mW 100@100mA,1V 800mA 100MHz 700mV@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT
5900 шт., срок 7 недель
12 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
8 руб.
от 600 шт. —
5.90 руб.
от 3000 шт. —
4.94 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
45V 625mW 100@100mA,1V 800mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 800mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 200nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@50mA, 500mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 250@100mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 625mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 210MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
Manufacturer | Changjiang Electronics Tech(CJ) |
Maximum DC Collector Current | 800mA |
Package / Case | TO-92 |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Pd - Power Dissipation | 625mW |
Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Datasheet BC337
pdf, 645 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.