UP3855G-AA3-R, Транзистор биполярный BJT 20 нА 140 В 1,6 Вт 200 @ 1 А, 5 В 4 А 120 МГц 275 мВ @ 3 А, 300 мА PNP +150 °C @ (Tj) SOT-223-3 Тра

2020 шт., срок 6 недель
47 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.29 руб.
от 150 шт.24 руб.
от 500 шт.20.51 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 235 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017594754
Артикул: UP3855G-AA3-R

Описание

140V 1.6W 200@1A,5V 4A PNP SOT-223-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 4A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 20nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 140V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 275mV@3A, 300mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 200@1A, 5V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 1.6W
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 120MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 140V
Maximum DC Collector Current 4A
Pd - Power Dissipation 3W
Вес, г 0.39

Техническая документация

Datasheet UP3855G-AA3-R
pdf, 185 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.