UP3855G-AA3-R, Транзистор биполярный BJT 20 нА 140 В 1,6 Вт 200 @ 1 А, 5 В 4 А 120 МГц 275 мВ @ 3 А, 300 мА PNP +150 °C @ (Tj) SOT-223-3 Тра
2020 шт., срок 6 недель
47 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
29 руб.
от 150 шт. —
24 руб.
от 500 шт. —
20.51 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 235 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
140V 1.6W 200@1A,5V 4A PNP SOT-223-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 4A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 20nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 140V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 275mV@3A, 300mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@1A, 5V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 1.6W |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 120MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 140V |
Maximum DC Collector Current | 4A |
Pd - Power Dissipation | 3W |
Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet UP3855G-AA3-R
pdf, 185 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары