HN1B04FE-GR,LF, 100nA 50V 100mW 200@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA 1PCSNPN&1PCSPNP +150°C@(Tj) SOT-666-6 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3550 шт., срок 7 недель

65 руб.

Кратность заказа 5 шт.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 325 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8017601895

Артикул: HN1B04FE-GR,LF

Бренд: Toshiba

Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V, - 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz, 80 MHz
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	HN1B04
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-563-6
Collector-Emitter Breakdown Voltage	50V
Maximum DC Collector Current	150mA
Pd - Power Dissipation	100mW
Transistor Type	NPN,PNP
Вес, г	0.01