WNMD2167-6/TR, 20V 5.7A 21mOhm@4.5V,6.3A 900mW 1V@250uA 2 N-Channel SOT-23-6 MOSFETs
1775 шт., срок 7 недель
51 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
30 руб.
от 150 шт. —
26 руб.
от 500 шт. —
22.53 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 255 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 5.7A 21mΩ@4.5V,6.3A 900mW 1V@250uA 2 N-Channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5.7A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 21mΩ@4.5V, 6.3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.05 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![FDD6637, Транзистор P-MOSFET 30В 55A 57Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS4435BZ, Транзистор P-MOSFET 30В 8.8А 2.5Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
