WNMD2153-6/TR, 20V 810mA 310mW 310mOhm@4.5V,550mA 850mV@250uA 2 N-Channel SOT-363-6 MOSFETs
2 шт., срок 7 недель
81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 81 руб.
Описание
20V 810mA 310mW 310mΩ@4.5V,550mA 850mV@250uA 2 N-Channel SOT-363-6 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 810mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 310mΩ@4.5V, 550mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 850mV@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 310mW |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.02 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313888.jpg)
![IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![IRF9310TR, Транзистор P-MOSFET 30В 20А 2.5Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
