RFM04U6P(TE12L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 7-9 недель
68 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 340 руб.
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gain: | 13.3 dB |
Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 470 MHz |
Output Power: | 4.3 W |
Package / Case: | PW-Mini-3 |
Pd - Power Dissipation: | 7 W |
Product Category: | RF MOSFET Transistors |
Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Series: | RFM04 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | RF Power MOSFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 16 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 3 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 0.7 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 210 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары