SSM3J334R,LF(T, МОП-Транзистор 30 В 4 А 71 мОм при 10 В, 3 А 1 Вт 2 В при 100мкА P-канальные МОП-Транзистор SOT-23-3L

Фото 1/2 SSM3J334R,LF(T, МОП-Транзистор 30 В 4 А 71 мОм при 10 В, 3 А 1 Вт 2 В при 100мкА P-канальные МОП-Транзистор SOT-23-3L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22700 шт., срок 7 недель
38 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 190 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8017622890
Артикул: SSM3J334R,LF(T
Бренд: Toshiba

Технические параметры

кол-во в упаковке 3000
корпус SOT23
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 4 A
Maximum Drain Source Resistance 136 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 2 W
Minimum Gate Threshold Voltage 0.8V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 5.9 nC @-10 V nC
Width 1.8mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 228 КБ
Datasheet
pdf, 275 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.