SSM3K335R,LF(T, 30V 6A 38mOhm@10V,4A 1W 2.5V@100uA N Channel SOT-23F MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3689 шт., срок 7 недель
37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 37 руб.
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 6A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 38mО© @ 4A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 100uA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.026Ом |
Power Dissipation | 1Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 6А |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23F |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K335R,LF(T
pdf, 228 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.