ZXT13N20DE6TA, 100nA 20V 1.1W 45@15A,2V 4.5A 96MHz 170mV@4.5A,45mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-6 BIpolar TransIstors - BJT

ZXT13N20DE6TA, 100nA 20V 1.1W 45@15A,2V 4.5A 96MHz 170mV@4.5A,45mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-6 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
Номенклатурный номер: 8017625856
Артикул: ZXT13N20DE6TA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 20V NPN SuperSOT4

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1.1 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.3 mm
Длина 3.1 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 5 A, 2
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250 at 10 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 4.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 170 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7.5 V
Непрерывный коллекторный ток 4.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 96 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия ZXT13N
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-6
Ширина 1.8 mm
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet ZXT13N20DE6TA
pdf, 410 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов