WNM6002-3/TR, 60V 300mA 2Ohm@10V,370mA 370mW 2V@250uA N Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS
3780 шт., срок 6 недель
14 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
8 руб.
от 600 шт. —
7.10 руб.
от 3000 шт. —
5.98 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
60V 300mA 2Ω@10V,370mA 370mW 2V@250uA 1PCSNChannel SOT-323-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@4.5V, 200mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA |
| Type | 1PCSNChannel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 300mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 370mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2О© @ 370mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| кол-во в упаковке | 20 |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet WNM6002-3/TR
pdf, 2717 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
