WNMD2176-6/TR, 20V 2.6A 55mOhm@4.5V,2.5A 900mW 780mV@250uA 36pF@10V 2 N-Channel 190pF@10V 3.1nC@4.5V +150°C@(Tj) SOT-23-6 MOSFETs
715 шт., срок 7 недель
54 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
31 руб.
от 150 шт. —
28 руб.
от 500 шт. —
23.62 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 270 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 2.6A 55mΩ@4.5V,2.5A 900mW 780mV@250uA 2 N-Channel SOT-23-6L MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V, 2.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 780mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 190pF@10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 36pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.1nC@4.5V |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.06 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FDD6637, Транзистор P-MOSFET 30В 55A 57Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
