SSM6J214FE(TE85L,F, ES-6 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44725 шт., срок 6 недель
76 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 380 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-3.6A VDSS=-30V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
| Qg - заряд затвора | 7.9 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.55 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.7 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Серия | SSM6J214FE |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Ширина | 1.2 mm |
| Base Product Number | 2SK208 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3A, 10V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | U-MOSVI -> |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet SSM6J214FE(TE85L,F
pdf, 208 КБ
Datasheet SSM6J214FE(TE85L.F
pdf, 204 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
