PDTA123TM,315, SOT-883-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 шт., срок 7 недель
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
70 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
Power Dissipation | 250мВт |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Корпус РЧ Транзистора | DFN1006 |
Линейка Продукции | PDTA123T Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
Полярность Транзистора | Single PNP |
Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный PNP |
Резистор На входе Базы R1 | 2.2кОм |
Стиль Корпуса Транзистора | DFN1006 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 76 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары