WNM2016A-3/TR, SOT-23-3 MOSFETs
4270 шт., срок 6 недель
28 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
16 руб.
от 300 шт. —
14 руб.
от 1000 шт. —
10.92 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
SOT-23-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | - |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet WNM2016A-3/TR
pdf, 872 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
