SIL2308-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

48 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 30 руб.

от 150 шт. — 25 руб.

от 500 шт. — 21.70 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 240 руб.

Номенклатурный номер: 8017639443

Артикул: SIL2308-TP

Массив Mosfet N и P-канал 20 В, 5 А, 4 А, поверхностный монтаж SOT-23-6L

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	5A, 4A
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
ECCN	EAR99
FET Feature	Standard
FET Type	N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V, 12nC @ 2.5V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF, 405pF @ 8V, 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SOT-23-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38mOhm @ 4.5A, 4.5V, 90mOhm @ 500mA, 4.5V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-23-6L
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250ВµA
Case	SOT23-6
Drain current	5/-4A
Drain-source voltage	20/-20V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate charge	11/12nC
Gate-source voltage	±8V, ±12V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Mounting	SMD
On-state resistance	49/110mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	1W
Type of transistor	N/P-MOSFET
Вес, г	0.03

pdf, 3825 КБ

Мы рекомендуем