SI3402-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 4А; Idm: 15А; 1,3Вт

SI3402-TP, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 4А; Idm: 15А; 1,3Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
32 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.20 руб.
от 150 шт.16 руб.
от 500 шт.13.76 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 160 руб.
Номенклатурный номер: 8017642719
Артикул: SI3402-TP

Технические параметры

Case SOT23
Drain current 4A
Drain-source voltage 30V
Gate charge 4.34nC
Gate-source voltage ±12V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Mounting SMD
On-state resistance 0.11Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 1.3W
Pulsed drain current 15A
Technology Trench
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 500 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов