FGHL40T65MQD, TO-247-3 IGBTs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 260 руб.
от 10 шт. —
1 000 руб.
от 30 шт. —
842 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 260 руб.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 238 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 7.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 329 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
