DMN2058UW-7, SOT-323-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
от 150 шт. —
12 руб.
от 500 шт. —
10.20 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
N-канал 20 В 3,5 A (Ta) 500 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-323
Технические параметры
Base Product Number | DMN2058 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.5A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 281pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 3A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±12V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250ВµA |
Brand | Diodes Incorporated |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 3.3 ns |
Id - Continuous Drain Current | 3.5 A |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 1 Channel |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 0.7 mW |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 7.7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 42 mOhms |
Rise Time | 4.9 ns |
Subcategory | MOSFETs |
Transistor Polarity | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 9.9 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 2 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
Automotive Standard | AEC-Q101 |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 4.6 A |
Maximum Drain Source Resistance | 91 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Maximum Power Dissipation | 1.13 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
Width | 1.4mm |
Drain Source On State Resistance | 0.0315Ом |
Power Dissipation | 500мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 3.5А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
Рассеиваемая Мощность | 500мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0315Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 480 КБ
Datasheet DMN2058UW-7
pdf, 468 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов