2SK3756(TE12L.F), SC-62 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 шт., срок 6 недель
230 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gain: | 12 dB |
Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 470 MHz |
Output Power: | 32 dBm |
Package/Case: | PW-Mini-3 |
Pd - Power Dissipation: | 3 W |
Product Category: | RF MOSFET Transistors |
Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | RF Power MOSFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 7.5 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 3 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 191 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.