TK10P60W,RVQ(S, DPAK MOSFETs

Фото 1/2 TK10P60W,RVQ(S, DPAK MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4002 шт., срок 7 недель
490 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 490 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8017657525
Артикул: TK10P60W,RVQ(S
Бренд: Toshiba

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 9.7 A
Maximum Drain Source Resistance 430 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.7V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 80 W
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series TK
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 20 nC @ 10 V
Width 7.18mm
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 244 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.