Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › SSM3J356R,LF(T, SOT-23F MOSFETs

SSM3J356R,LF(T, SOT-23F MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2870 шт., срок 7 недель

70 руб.

Кратность заказа 5 шт.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 350 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8017668001

Артикул: SSM3J356R,LF(T

Бренд: Toshiba

Описание

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Технические параметры

Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	2 A
Maximum Drain Source Resistance	4e+008 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Material	Silicon
Вес, г	0.04