IPB17N25S3100ATMA1, 250V 17A 100mOhm@17A,10V 107W 4V@54uA N Channel 1500pF@25V 19nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TO-263-3-2 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 17 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 100 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 250 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 107000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | Unknown |
| Process Technology | OptiMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 1.2 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 14 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 14 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1133 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 3.7 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 7.5 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.4 |
| Drain Source On State Resistance | 0.085Ом |
| Power Dissipation | 107Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS T |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 250В |
| Непрерывный Ток Стока | 17А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 107Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.085Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 107 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Series | OptiMOS T |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Width | 9.25mm |
| Вес, г | 1.91 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 203 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 210 КБ
Datasheet IPB17N25S3-100
pdf, 194 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
