2SK2009(TE85L,F), TO-236-3 MOSFETs

2SK2009(TE85L,F), TO-236-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
665 шт., срок 7 недель
130 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 650 руб.
Номенклатурный номер: 8017670792
Артикул: 2SK2009(TE85L,F)
Бренд: Toshiba

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 2Ом
Power Dissipation 200мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 2.5В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока 200мА
Пороговое Напряжение Vgs 1.5В
Стиль Корпуса Транзистора TO-236MOD
Вес, г 0.04

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.