MMBFJ175LT1G, Транзистор P-JFET 25В 0.225Вт [SOT-23-3]
![Фото 1/4 MMBFJ175LT1G, Транзистор P-JFET 25В 0.225Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 руб.
от 100 шт. —
36 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 40 руб.
Описание
TRANSISTOR, JFET, P, 30V, SOT-23; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:7mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:60mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:6V; Transistor Case Style:SOT-23; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3 Pin; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Capacitance Ciss Max:11pF; Current Idss Max:60mA; Current Idss Min:7mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; No. of Pins:3Pins; On State Resistance Max:125ohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Pd:225mW; Power Dissipation Ptot Max:225mW; SMD Marking:6W; Termination Type:Surface Mount Device; Transistor Polarity:P Channel; Voltage Vgs Off Min:3V
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Drain Gate On-Capacitance | 11pF |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | -7 to-60mA |
| Maximum Drain Gate Voltage | -25V |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 15 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Source Gate On-Capacitance | 11pF |
| Transistor Configuration | Single |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
