Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › Silicon N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V ...

Silicon N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin SOP TPH1R306PL,L1Q(M

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4310 шт., срок 7 недель

1 020 руб.

Кратность заказа 5 шт.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 5 100 руб.

Номенклатурный номер: 8018051861

Артикул: TPH1R306PL,L1Q(M

Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties. It is mainly used in high-efficiency DC-DC converters, switching voltage regulators and motor drivers.

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Resistance	2.3 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOP
Pin Count	8
Series	TPH1R306PL
Transistor Material	Silicon
Вес, г	1