DMN2025UFDB-7, Транзистор: N-MOSFET x2
64 руб.
от 10 шт. —
51 руб.
от 30 шт. —
41 руб.
от 100 шт. —
34.60 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 64 руб.
Описание
20V 6A 25mΩ@4A,4.5V 700mW 1V@250uA 2 N-Channel UDFN2020-6 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4A, 4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 486pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 700mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12.3nC@10V |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 480 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
