BSC0802LSATMA1, транзистор полевой N-канал 100В, 100А PG-TDSON-8

Фото 1/2 BSC0802LSATMA1, транзистор полевой N-канал 100В, 100А PG-TDSON-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
230 руб.
110 руб.
от 10 шт.66 руб.
от 40 шт.61 руб.
от 70 шт.60.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.
Номенклатурный номер: 8018326326
Артикул: BSC0802LSATMA1

Описание

транзисторы полевые импортные
МОП-транзистор TRENCH >=100V

Технические параметры

Структура N-канал
Корпус TDSON-8
Id - непрерывный ток утечки 100 A
Pd - рассеивание мощности 156 W
Qg - заряд затвора 37 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 10 ns
Время спада 16 ns
Другие названия товара № BSC0802LS SP001614074
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 60 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 5000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 40 ns
Типичное время задержки при включении 9.6 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TDSON-8
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet BSC0802LSATMA1
pdf, 1013 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов