Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF9Z24NPBF, P канал транзистор -55В -12А TO-220AB

IRF9Z24NPBF, P канал транзистор -55В -12А TO-220AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

80 руб.

от 10 шт. — 46 руб.

от 40 шт. — 43 руб.

от 70 шт. — 42.21 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 80 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8018326343

Артикул: IRF9Z24NPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

транзисторы полевые импортные

Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -55В, -12А, 45Вт, TO220AB Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	12 A
Pd - рассеивание мощности	45 W
Qg - заряд затвора	12.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	175 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	55 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	55 ns
Время спада	37 ns
Высота	15.65 mm
Длина	10 mm
Другие названия товара №	SP001555934
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	2.5 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	23 ns
Типичное время задержки при включении	13 ns
Торговая марка	Infineon / IR
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.4 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	12 A
Maximum Drain Source Resistance	175 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	45 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	19 nC @ 10 V
Continuous Drain Current	12(A)
Drain-Source On-Volt	55(V)
Gate-Source Voltage (Max)	±20(V)
Mounting	Through Hole
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 175C
Operating Temperature Classification	Military
Packaging	Rail/Tube
Polarity	P
Power Dissipation	45(W)
Rad Hardened	No
Type	Power MOSFET
Вес, г	1