STP18N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
910 руб.
от 2 шт. —
790 руб.
от 5 шт. —
711 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 910 руб.
Альтернативные предложения2
Посмотреть аналоги2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 650В 15A 110Вт 0,22Ом TO220
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 15A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 100V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Series | MDmeshв(ў V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) | 15A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@7.5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.24nF@100V |
| Power Dissipation (Pd) | 110W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 31nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 2.74 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 949 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
