FDPF20N50T, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
890 руб.
от 3 шт. —
790 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 890 руб.
Описание
МОП-транзистор 500V 20A NCH МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Pd - рассеивание мощности | 38.5 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 230 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 375 ns |
Время спада | 105 ns |
Высота | 16.07 mm |
Длина | 10.36 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 24.6 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FDPF20N50T |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 100 ns |
Типичное время задержки при включении | 95 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Ширина | 4.9 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FDPF20N50T
pdf, 773 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов