2SC4116-Y,LXHF, Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5900 шт., срок 7-9 недель
100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 100 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
RN Automotive Bias Resistor Built-in TransistorsToshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 150 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 70 at 2 mA, 6 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | USM-3 |
Part # Aliases: | 2SC4116-Y, LXHF(B |
Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Qualification: | AEC-Q200 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 470 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.