BUJ302AD,118, Bipolar Transistors - BJT NPN 400 V 4 A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6288 шт., срок 7-9 недель
170 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
97 руб.
от 500 шт. —
88.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | WeEn Semiconductors |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 400 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 600 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 4 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 |
| DC Current Gain hFE Max: | 100 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 19 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Manufacturer: | WeEn Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | 934064986118 |
| Pd - Power Dissipation: | 80 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.37 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 289 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
