BFP620FH7764XTSA1, RF Transistor, NPN, 2.3V, 80mA, TSFP-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 900 руб.
Описание
Transistors, Bipolar
The Infineon low profile high gain silicon NPN RF bipolar transistor, its high gain and low noise characteristics make the device suitable for frequencies as high as 6 GHz.
Технические параметры
| Collector-Base Voltage (Vcbo) | 7.5 V |
| Collector-Emitter Voltage (Vceo) | 2.3 V |
| Continuous Collector Current (Ic) | 80 mA |
| DC Current Gain (hFE) | 180 |
| Emitter-Base Voltage (Vebo) | 1.2 V |
| Mounting Type | SMD |
| MSL | Level-1 |
| Operating Temperature Max. | 150 °C |
| Package Type | TSFP |
| Packaging | Tape & Reel |
| Pins | 4 |
| Power Dissipation (Pd) | 185 mW |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transit Frequency | 65 GHz |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 7.5 V |
| Maximum DC Collector Current | 80 mA |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 369 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![КТ805АМ, Биполярный транзистор, NPN, 60В, 5А, 30Вт, h21e= 15 [КТ-28 / TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2N3055, Транзистор NPN 60В 15А 100Вт 3Мгц [TO-3] ( = КТ819AM...ГМ)](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330075.jpg)
