RN2115,LXHF(CT, Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

RN2115,LXHF(CT, Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6000 шт., срок 7-9 недель
94 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 94 руб.
Номенклатурный номер: 8019981152
Артикул: RN2115,LXHF(CT
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 50 at-10 mA, -5 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Frequency: 200 MHz
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SSM-3
Part # Aliases: RN2115, LXHF(CB
Pd - Power Dissipation: 100 mW
Product Category: Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Qualification: AEC-Q200
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Typical Input Resistor: 2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio: 0.22
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 597 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.