RN2115,LXHF(CT, Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6000 шт., срок 7-9 недель
94 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 94 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
RN Automotive Bias Resistor Built-in TransistorsToshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 50 at-10 mA, -5 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Frequency: | 200 MHz |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SSM-3 |
Part # Aliases: | RN2115, LXHF(CB |
Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Qualification: | AEC-Q200 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | PNP |
Typical Input Resistor: | 2.2 kOhms |
Typical Resistor Ratio: | 0.22 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 597 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары