FF800R12KE7EHPSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56 960 руб.
от 10 шт. —
48 650 руб.
от 20 шт. —
47 370 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 56 960 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.75 V |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | FF800R12KE7_E SP005568685 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | IGBT7-E7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 725 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары
