SI7461DP-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.6A
![Фото 1/2 SI7461DP-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.6A](https://static.chipdip.ru/lib/322/DOC028322505.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/764/DOC017764646.jpg)
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
250 руб.
от 19 шт. —
226 руб.
от 37 шт. —
217 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.6A
Технические параметры
Корпус | PowerPAKВR SO-8 | |
Brand: | Vishay Semiconductors | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
Fall Time: | 90 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 31 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 14.4 A | |
Manufacturer: | Vishay | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | PowerPAK-SO-8 | |
Part # Aliases: | SI7461DP-E3 | |
Pd - Power Dissipation: | 5.4 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 121 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 14.5 mOhms | |
Rise Time: | 20 ns | |
Series: | SI7 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | TrenchFET | |
Transistor Polarity: | P-Channel | |
Transistor Type: | 1 P-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 205 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | |
Вес, г | 0.24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 374 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары