SI7617DN-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

140 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 20 шт. — 110 руб.

от 40 шт. — 101 руб.

от 79 шт. — 96 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 560 руб.

Номенклатурный номер: 8020145870

Артикул: SI7617DN-T1-GE3

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A

Корпус	PowerPAKВR 1212-8
Brand	Vishay / Siliconix
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	9 ns, 11 ns
Forward Transconductance - Min	35 S
Id - Continuous Drain Current	35 A
Manufacturer	Vishay
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Minimum Operating Temperature	- 55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number Of Channels	1 Channel
Package / Case	PowerPAK-1212-8
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	52 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	39 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	12.3 mOhms
Rise Time	9 ns, 43 ns
Series	SI7
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Tradename	TrenchFET
Transistor Polarity	P-Channel
Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns, 32 ns
Typical Turn-On Delay Time	11 ns, 40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V
Вес, г	0.226