SQ2310ES-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 20В 6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
52 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 33 шт. —
43 руб.
от 65 шт. —
41 руб.
от 129 шт. —
39 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 468 руб.
Посмотреть аналоги16
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 20В 6A
Технические параметры
Корпус | to-236 | |
Brand | Vishay/Siliconix | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 3000 | |
Fall Time | 9 ns | |
Forward Transconductance - Min | 27 S | |
Id - Continuous Drain Current | 6 A | |
Manufacturer | Vishay | |
Maximum Operating Temperature | +175 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number Of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-236-3 | |
Packaging | Cut Tape or Reel | |
Pd - Power Dissipation | 2 W | |
Product Category | MOSFET | |
Product Type | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 8.5 nC | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms | |
Rise Time | 8 ns | |
Series | SQ | |
Subcategory | MOSFETs | |
Technology | Si | |
Tradename | TrenchFET | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 21 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 7 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V | |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV | |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet SQ2310ES-T1_BE3
pdf, 224 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов