TK56E12N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 120В, 56А, 168Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
610 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 120В, 56А, 168Вт, TO220AB Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO220AB |
Drain current | 56A |
Drain-source voltage | 120V |
Gate charge | 69nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | TOSHIBA |
Mounting | THT |
On-state resistance | 5.8mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 168W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.96 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 256 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.