2N3637UB

Фото 1/2 2N3637UB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 220 руб.
от 10 шт.4 290 руб.
от 25 шт.3 880 руб.
от 50 шт.3 819.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 220 руб.
Номенклатурный номер: 8020291539

Описание

Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 4-Pin Case UB Waffle

Технические параметры

Brand: Microchip Technology
Collector- Base Voltage VCBO: 175 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 175 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1
Manufacturer: Microchip
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: UB-3
Packaging: Waffle
Pd - Power Dissipation: 1 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Not Compliant
Material Si
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.8@1mA@10mA|0.9@5mA@50mA
Maximum Collector Base Voltage (V) 175
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3@1mA@10mA|0.6@5mA@50mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 140
Maximum DC Collector Current (A) 1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 200
Maximum Power Dissipation (mW) 1000
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) -65 to 200
Packaging Waffle
Part Status Active
PCB changed 4
Pin Count 4
PPAP No
Product Category Bipolar Power
Supplier Package Case UB
Type PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 175 КБ
Datasheet
pdf, 167 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов