DMT64M2LPSW-13, MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMT64M2LPSW-13, MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
от 10 шт.230 руб.
от 100 шт.170 руб.
от 500 шт.134.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.
Номенклатурный номер: 8020292017
Артикул: DMT64M2LPSW-13
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Полевые МОП-транзисторы

Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 11.2 ns
Id - Continuous Drain Current: 20.7 A
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: PowerDI5060-8
Packaging: Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation: 2.8 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 46.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 4.4 mOhms
Rise Time: 6.9 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 26.1 ns
Typical Turn-On Delay Time: 6.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Вес, г 4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 415 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов