Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI7288DP-T1-GE3, Сборка из полевых ...

SI7288DP-T1-GE3, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 20 А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

140 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 13 шт. — 120 руб.

от 26 шт. — 110 руб.

от 52 шт. — 106 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 560 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8020330892

Артикул: SI7288DP-T1-GE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 20 А

Технические параметры

Корпус	PowerPAKВR SO-8 Dual
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	40В
Непрерывный Ток Стока	20А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.8В
Рассеиваемая Мощность	15.6Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0156Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	20 A
Maximum Drain Source Resistance	22 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	15.6 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	PowerPAK SO-8
Pin Count	8
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 10 V
Width	5mm
Brand:	Vishay Semiconductors
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	8 ns
Forward Transconductance - Min:	39 S
Id - Continuous Drain Current:	20 A
Manufacturer:	Vishay
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	2 Channel
Package / Case:	PowerPAK-SO-8
Part # Aliases:	SI7288DP-GE3
Pd - Power Dissipation:	15.6 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	15 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	19 mOhms
Rise Time:	8 ns
Series:	SI7
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	TrenchFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	14 ns
Typical Turn-On Delay Time:	7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.2 V
Вес, г	0.742