SI2337DS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

140 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 13 шт. — 120 руб.

от 26 шт. — 113 руб.

от 51 шт. — 109 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 560 руб.

Номенклатурный номер: 8020330914

Артикул: SI2337DS-T1-E3

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A

Корпус	SOT23-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	2.2A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	760mW
Rds On - Drain-Source Resistance	270mО© @ 1.2A,10V
Transistor Polarity	P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80V
Vgs - Gate-Source Voltage	4V @ 250uA
Brand:	Vishay Semiconductors
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	12 ns
Forward Transconductance - Min:	4.3 S
Id - Continuous Drain Current:	2.2 A
Manufacturer:	Vishay
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-50 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOT-23-3
Part # Aliases:	SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-E3
Pd - Power Dissipation:	2.5 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	17 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	270 mOhms
Rise Time:	15 ns
Series:	SI2
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	TrenchFET
Transistor Polarity:	P-Channel
Transistor Type:	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	20 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	80 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	0.1