DMT6030LFCL-7, MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1616-6 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
62 руб.
от 1000 шт. —
39.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.025 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | U-DFN1616-6 |
| Pin Count | 6 |
| Series | DMT |
| Transistor Material | Plastic |
| Вес, г | 77 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 564 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
